图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 400 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 250V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 25.5A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 110 mOhm @ 12.75A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 5V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 65nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 1800pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 3.13W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 供应商器件封装 | TO-262 |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 3I2PAK |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 250 V |
| 最大连续漏极电流 | 25.5 A |
| RDS -于 | 110@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±30 V |
| 典型导通延迟时间 | 36 ns |
| 典型上升时间 | 164 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 81 ns |
| 典型下降时间 | 77 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 最大门源电压 | ±30 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Rail |
| 最大漏源电阻 | 110@10V |
| 最大漏源电压 | 250 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | I2PAK |
| 最大功率耗散 | 3130 |
| 最大连续漏极电流 | 25.5 |
| 引脚数 | 3 |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 25.5A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 5V @ 250µA |
| 封装/外壳 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 供应商设备封装 | TO-262 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 110 mOhm @ 12.75A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 3.13W |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 250V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1800pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 65nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 400 |
| 系列 | FQI27N25TU |
| 单位重量 | 0.073511 oz |
| RoHS | RoHS Compliant |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 250 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 商品名 | UltraFET QFET |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| Id - Continuous Drain Current | 25.5 A |
| 身高 | 7.88 mm |
| 长度 | 10.29 mm |
| 通道数 | 1 Channel |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 110 Ohm |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| 技术 | Si |
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